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新芯閃存芯片

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該平臺包括兩片晶圓堆疊技術(shù)S-stacking®、多片晶圓堆疊技術(shù)M-stacking®和異質(zhì)集成技術(shù)Hi-stacking®等技術(shù)類別。武漢新芯3DLink?是業(yè)界先進的半導(dǎo)體三維集成技術(shù)平臺,可利用納米級互連技術(shù)將多片晶圓或晶圓與芯片在垂直方向直接連接在一起。武漢新芯3DLink?技術(shù)能明顯減小芯片面積,實現(xiàn)更短的連接距離,同時可提升連接速度和通道數(shù)目,帶來高帶寬、低延時和低功耗等優(yōu)勢,為傳感器、存算一體、高速運算和高帶寬存儲器等芯片系統(tǒng)提供強大的全套解決方案。

武漢新芯一直嚴格遵守質(zhì)量管控和環(huán)境、安全、健康管理體系,新芯存儲器官網(wǎng)并獲得汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系IATF16949、質(zhì)量管理體系ISO9001、職業(yè)健康安全管理體系ISO45001、環(huán)境管理體系ISO14001、有害物質(zhì)過程管理體系QC080000、索尼綠色伙伴認證SS-00259等國際體系認證。

公司已實現(xiàn)50nm Floating Gate NOR Flash工藝量產(chǎn),并推出自有品牌SPI NOR Flash產(chǎn)品。武漢新芯在12寸NOR Flash領(lǐng)域積累了十多年的研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)制造經(jīng)驗,是中國乃至世界先進的特色存儲工藝制造商之一。

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